• SiC-Diode
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  • TO-247-2L(SiC-Diode)
  • SiC-Diode

SiC-Diode

  • 低導(dǎo)通壓降

  • 無(wú)反向恢復(fù)電荷

  • 高抗浪涌能力

  • 高雪崩耐量

  • 高可靠性

安建科技現(xiàn)已開發(fā)出1200V耐壓等級(jí)碳化硅二極管(SiC diode),由安建科技自主研發(fā)設(shè)計(jì)并掌握相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán),采用獨(dú)特的元胞和終端設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通壓降(VF)和擊穿電壓(BV)間更好的折中,同時(shí),擁有更好的抗浪涌能力,雪崩耐量和可靠性。

基于SiC diode導(dǎo)通壓降低,反向恢復(fù)電荷少的特點(diǎn),其主要應(yīng)用于通信電源、服務(wù)器電源,電動(dòng)汽車,充電樁,光伏等。

ProductPackageVRRMIFQcIFSMDatasheet
VAnCA
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JDH20B120PJTO-247120010121135
JDP20B120PJTO-220120010121135

600V SiC diode: In Progress.

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