SiC-Diode

安建科技現已開發出1200V耐壓等級碳化硅二極管（SiC diode），由安建科技自主研發設計并掌握相關知識產權，采用獨特的元胞和終端設計，實現了導通壓降（VF）和擊穿電壓（BV）間更好的折中，同時，擁有更好的抗浪涌能力，雪崩耐量和可靠性。

基于SiC diode導通壓降低，反向恢復電荷少的特點，其主要應用于通信電源、服務器電源，電動汽車，充電樁，光伏等。