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產(chǎn)品技術(shù)
專(zhuān)注功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)設(shè)計(jì)制造及提供完整的解決方案
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08
2021-11
JSAB IGBT產(chǎn)品可靠性
JSAB IGBT 通過(guò)采用獨(dú)特的耐壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，確保產(chǎn)品可靠性達(dá)到國(guó)際一流水平。JSAB 650V 及 1200V IGBT 芯片均已通過(guò)業(yè)內(nèi)最高標(biāo)準(zhǔn)的 175℃, 1000小時(shí)高溫反偏 (HTRB、HTGB) 老化加速可靠性測(cè)試 。
JSAB
IGBT
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07
2021-11
JSAB SGT-MOS UIS 性能
JSAB 型號(hào)：JMM5770N 規(guī)格：40V/1.4mΩmax(@Vgs=10V)，如上圖，JMM5770N雪崩電壓可達(dá)~60V，并可以安全通過(guò)200us以上動(dòng)態(tài)雪崩測(cè)試，體現(xiàn)出很好的雪崩耐量能力，非常適合用于Power tools、SMPS等應(yīng)用。
JSAB
SGT-MOS
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0755-2267 0460
sales@jsab-tech.com
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