公司簡介

安建科技有限公司 (JSAB Technologies Limited) 是一所專門從事功率半導體元器件產品設計、研發及銷售的高科技公司。安建科技集團總部位于中國香港，并在廣東省深圳市和中山···

關于安建 2021-11-12 11488 12

IGBT模塊

安建科技推出的IGBT采用先進的溝槽-場截止型(Trench-FS)結構，由安建科技自主研發并掌握相關知識產權。采用”Taiko”薄片晶圓加工技術，創新的精細溝槽結構，降低芯片導通及···

產品中心 2021-11-11 23851 28

創始人簡介

安建科技創始人–單建安教授背景:加拿大多倫多大學電機工程學學士、碩士及博士香港科技大學電子與計算機工程學系教授美國電子電氣工程師學會院士(IEEE Fellow)主要經歷:業內···

關于安建 2021-11-11 12030 12

IGBT單管

安建科技推出的IGBT采用先進的溝槽-場截止型(Trench-FS)結構，由安建科技自主研發并掌握相關知識產權。采用”Taiko”薄片晶圓加工技術，創新的精細溝槽結構，降低芯片導通及···

產品中心 2021-11-10 17649 16

企業文化

安建科技致力于成為大中華區技術上最頂尖的功率半導體元器件企業

關于安建 2021-11-10 7238 12

安建科技有限公司

地址：香港沙田科學園科技大道西16號16W大樓912-913室電話：+852-3611 7567傳真：+852-3613 0728郵箱：sales@jsab.com.hk

聯系我們 2021-11-09 4008 12

SGT-MOS

安建科技推出的SGT-MOSFET采用國際先進的工藝技術，由安建科技自主研發設計，由頂尖晶圓代工廠加工制造，目前已開發出25V~100V的SGT-MOS平臺，正在開發150V SGT-MOS平臺。安···

產品中心 2021-11-09 17148 17

JSAB IGBT產品可靠性

JSAB IGBT 通過采用獨特的耐壓結構設計，確保產品可靠性達到國際一流水平。JSAB 650V 及 1200V IGBT 芯片均已通過業內最高標準的 175℃, 1000小時高溫反偏 (HTRB、HTGB) 老···

產品技術 2021-11-08 4505 12

SJ-MOS

安建科技現已開發出600V~650V耐壓等級超級結(Super-junction , SJ) MOSFET ，由安建科技自主研發設計并掌握相關知識產權，采用深溝槽工藝，為國內目前元胞尺寸最小的SJ-MOS···

產品中心 2021-11-08 13581 13

JSAB SGT-MOS UIS 性能

JSAB 型號：JMM5770N 規格：40V/1.4mΩmax(@Vgs=10V)，如上圖，JMM5770N雪崩電壓可達~60V，并可以安全通過200us以上動態雪崩測試，體現出很好的雪崩耐量能力，非常適合用于···

產品技術 2021-11-07 3969 12