新品推介
我們?yōu)楦叨诵酒瑖a(chǎn)化賦能
依托于光刻機(jī)的光罩（Litho）工藝是半導(dǎo)體芯片加工流程中的核心工藝，光罩的層數(shù)是影響半導(dǎo)體芯片工藝復(fù)雜度及加工成本的關(guān)鍵指標(biāo)。當(dāng)代溝槽-場截止型IGBT一般采用9-10層光罩進(jìn)行加工。安建早于2019年即在國內(nèi)頂尖8-inch晶圓廠成功開發(fā)并量產(chǎn)了僅采用7層光罩工藝的第七代溝槽-場截止IGBT技術(shù)，是國內(nèi)第一家量產(chǎn)第七代IGBT的國產(chǎn)廠家，并完全擁有相關(guān)自主知識產(chǎn)權(quán)。
近期，安建將自有專利的第7層光罩工藝流程成功轉(zhuǎn)移至國內(nèi)頂級12-inch IGBT加工平臺，也是國內(nèi)首家推出基于7層光罩工藝的12-inch第七代IGBT的國產(chǎn)廠家。此項(xiàng)技術(shù)突破表征了安建在國內(nèi)IGBT芯片及加工工藝設(shè)計(jì)方面的雙重技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。
下圖為安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓。
光罩層數(shù)的減少并未對器件性能、堅(jiān)固性及可靠性造成任何影響。下圖為采用上述晶圓封裝的第七代1200V-25A PIM模塊，型號為JG1A25P120DG2（pin-to-pin兼容國外進(jìn)口的第七代EasyPIM-1B?模塊）。相應(yīng)的模塊產(chǎn)品已通過工業(yè)變頻及伺服驅(qū)動等客戶測試認(rèn)證。
 |
|
相應(yīng)模塊在某知名客戶4kW高頻電機(jī)變頻器（載頻16kHz）完全通過各類極限工況測試，測試結(jié)果如下：
驅(qū)動波形：
相間短路波形：
1s急減速測試波形：
安建半導(dǎo)體致力于為客戶提供國際一流、國內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件，如需樣品，歡迎與我們聯(lián)系 sales@jsab-tech.com 。
