安建半導體推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺

        安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺，平臺采用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，從而實現(xiàn)了高效的能源轉換和低能耗操作，不僅可以顯著提高應用系統(tǒng)的整體效率，更能降低能源成本并延長系統(tǒng)的工作壽命。該平臺廣泛應用于通信和數(shù)據(jù)中心服務器電源、叉車和輕型電動車低壓電機驅動器以及電池管理系統(tǒng) (BMS)。作為這些應用系統(tǒng)中最關鍵的零部件之一，MOSFET的性能對系統(tǒng)的性能和效率具有決定性的影響。

1.  產(chǎn)品性能

1. 優(yōu)化FOM (Figure of Merit)：極低導通及開關損耗，適用于高載頻及高功率工況，提供高效的能量轉換和節(jié)能效果。

2. 高可靠性：卓越的可靠性與耐用性，全面滿足工業(yè)級標準。

3. 高抗沖擊能力：低熱阻，高雪崩能力，滿足高電流及瞬間關斷時的要求。

4. 良好一致性：支持多管并聯(lián)應用。

2. 競品對比

       在選擇MOSFET器件時，了解和比較其FOM值是非常重要。 FOM (Figure of Merit) 是MOSFET的一個重要指標，用于評估其性能。

       FOM包括了MOSFET最關鍵的性能指標 : 導通電阻 ( R_DS(on) ) 及閘極電荷 ( Qg )。較低的導通電阻代表MOSFET在導通狀態(tài)下具有更低的功耗和更高的效率。較低的閘極電荷代表MOSFET可以更快地在導通和截止之間切換，從而減少功耗和提高性能。

       JSAB 150V產(chǎn)品與國內(nèi)外品牌規(guī)格對比，JSAB 150V SGT MOSFET FOM 可以達到約300 m?·nC，對比其他國內(nèi)外品牌最新代產(chǎn)品低6 - 27%不等，這一結果清晰地展示了JSAB 150V SGT MOSFET作為出色替代方案或新開發(fā)方案的有力競爭者的能力。

3. 技術特點

       JSAB 150V SGT MOSFET采用深溝槽技術，透過優(yōu)化漂移區(qū) (Drift region) 及基板 (Substrate) 阻抗，能以相同芯片大小，達到更低的FOM (RDS(on) x Qg)，大幅降低開關損耗及導通損耗，媲美國外一流頂尖品牌規(guī)格。此外JSAB 150V SGT MOSFET 除了使用傳統(tǒng)直插式封裝，如TO-220及TO-247，更推出了貼片式封裝，如TO-LL及TO-263，大幅提高功率密度及PCB設計靈活度，使得JSAB 150V SGT MOSFET 非常適合用于電源系統(tǒng)，電池管理系統(tǒng)，及電機控制器等高功率工業(yè)應用。

       綜上所述，JSAB 150V SGT MOSFET產(chǎn)品能夠完全媲美國外一流進口品牌的性能，非常適用于工業(yè)電機驅動或電池管理系統(tǒng)等應用領域。JSAB有能力也有信心接受客戶嚴苛的測試和檢驗，如需樣品，歡迎與我司聯(lián)系。

       安建半導體致力于為客戶提供國際一流、國內(nèi)領先的功率半導體器件，如需樣品，歡迎聯(lián)系sales@jsab-tech.com。