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安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設(shè)計確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性價比高。
● 開關(guān)速度快
● 柵極電荷低
● 雪崩耐量高
● 短路能力強
● 可靠性高
● 電動汽車
● 太陽能逆變器
● 儲能系統(tǒng)
● 不間斷電源
安建半導(dǎo)體對此款自研SiC MOSFET產(chǎn)品做了動靜態(tài)、短路、雪崩耐量（UIS），可靠性等測試，性能參數(shù)與國際競品相當(dāng)。雪崩耐量為國際知名品牌同規(guī)格產(chǎn)品的200%，在短路時間3us下可安全關(guān)斷800A電流。此外，該款芯片已通過1000h可靠性考核。
靜態(tài)輸出特性：
開關(guān)波形：
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UIS波形：
安建半導(dǎo)體1200V-17mΩ SiC MOSFET具備如下優(yōu)異性能：
● 通過設(shè)計上的優(yōu)化，確保具有穩(wěn)定的擊穿特性，增強UIS能力。
● 在短路時間3us下安全關(guān)斷800A電流。
● 已通過國際最高標(biāo)準(zhǔn)的1000小時HTRB、HTGB、HV-H3TRB等可靠性考核。
安建半導(dǎo)體即將推出兼容國際一線品牌封裝的SiC模塊，敬請期待！
安建半導(dǎo)體致力于為客戶提供國際一流、國內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件，如需樣品，歡迎與我們聯(lián)系 sales@jsab-tech.com 。
