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產(chǎn)品技術
專注功率半導體器件的研發(fā)設計制造及提供完整的解決方案
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07
2021-11
JSAB SGT-MOS UIS 性能
JSAB 型號：JMM5770N 規(guī)格：40V/1.4mΩmax(@Vgs=10V)，如上圖，JMM5770N雪崩電壓可達~60V，并可以安全通過200us以上動態(tài)雪崩測試，體現(xiàn)出很好的雪崩耐量能力，非常適合用于Power tools、SMPS等應用。
JSAB
SGT-MOS
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0755-2267 0460
sales@jsab-tech.com
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