JSAB
JSAB17
公司簡介

公司簡介

安建科技有限公司 (JSAB Technologies Limited) 是一所專門從事功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)及銷售的高科技公司。安建科技集團(tuán)總部位于中國香港,并在廣東省深圳市和中山···
關(guān)于安建 2021-11-12 11490 12
IGBT模塊

IGBT模塊

安建科技推出的IGBT采用先進(jìn)的溝槽-場截止型(Trench-FS)結(jié)構(gòu),由安建科技自主研發(fā)并掌握相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)。采用”Taiko”薄片晶圓加工技術(shù),創(chuàng)新的精細(xì)溝槽結(jié)構(gòu),降低芯片導(dǎo)通及···
產(chǎn)品中心 2021-11-11 23854 28
創(chuàng)始人簡介

創(chuàng)始人簡介

安建科技創(chuàng)始人–單建安教授背景:加拿大多倫多大學(xué)電機(jī)工程學(xué)學(xué)士、碩士及博士香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程學(xué)系教授美國電子電氣工程師學(xué)會院士(IEEE Fellow)主要經(jīng)歷:業(yè)內(nèi)···
關(guān)于安建 2021-11-11 12031 12
IGBT單管

IGBT單管

安建科技推出的IGBT采用先進(jìn)的溝槽-場截止型(Trench-FS)結(jié)構(gòu),由安建科技自主研發(fā)并掌握相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)。采用”Taiko”薄片晶圓加工技術(shù),創(chuàng)新的精細(xì)溝槽結(jié)構(gòu),降低芯片導(dǎo)通及···
產(chǎn)品中心 2021-11-10 17651 16
企業(yè)文化

企業(yè)文化

安建科技致力于成為大中華區(qū)技術(shù)上最頂尖的功率半導(dǎo)體元器件企業(yè)
關(guān)于安建 2021-11-10 7239 12
安建科技有限公司

安建科技有限公司

地址:香港沙田科學(xué)園科技大道西16號16W大樓912-913室電話:+852-3611 7567傳真:+852-3613 0728郵箱:sales@jsab.com.hk
聯(lián)系我們 2021-11-09 4010 12
SGT-MOS

SGT-MOS

安建科技推出的SGT-MOSFET采用國際先進(jìn)的工藝技術(shù),由安建科技自主研發(fā)設(shè)計(jì),由頂尖晶圓代工廠加工制造,目前已開發(fā)出25V~100V的SGT-MOS平臺,正在開發(fā)150V SGT-MOS平臺。安···
產(chǎn)品中心 2021-11-09 17152 17
JSAB IGBT產(chǎn)品可靠性

JSAB IGBT產(chǎn)品可靠性

JSAB IGBT 通過采用獨(dú)特的耐壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),確保產(chǎn)品可靠性達(dá)到國際一流水平。JSAB 650V 及 1200V IGBT 芯片均已通過業(yè)內(nèi)最高標(biāo)準(zhǔn)的 175℃, 1000小時(shí)高溫反偏 (HTRB、HTGB) 老···
產(chǎn)品技術(shù) 2021-11-08 4506 12
SJ-MOS

SJ-MOS

安建科技現(xiàn)已開發(fā)出600V~650V耐壓等級超級結(jié)(Super-junction , SJ) MOSFET ,由安建科技自主研發(fā)設(shè)計(jì)并掌握相關(guān)知識產(chǎn)權(quán),采用深溝槽工藝,為國內(nèi)目前元胞尺寸最小的SJ-MOS···
產(chǎn)品中心 2021-11-08 13582 13
JSAB SGT-MOS UIS 性能

JSAB SGT-MOS UIS 性能

JSAB 型號:JMM5770N 規(guī)格:40V/1.4mΩmax(@Vgs=10V),如上圖,JMM5770N雪崩電壓可達(dá)~60V,并可以安全通過200us以上動態(tài)雪崩測試,體現(xiàn)出很好的雪崩耐量能力,非常適合用于···
產(chǎn)品技術(shù) 2021-11-07 3970 12
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