SiC-Diode
SiC-Diode（1）
SiC-Diode

SiC-Diode

安建科技現已開發出1200V耐壓等級碳化硅二極管（SiC diode），由安建科技自主研發設計并掌握相關知識產權，采用獨特的元胞和終端設計，實現了導通壓降（VF）和擊穿電壓（BV···
產品中心 2021-11-07 18461 13
<1>
最新文章
熱門文章
Tags
JSAB安建科技安建半導體IGBT模塊SGT-MOSIGBT單管SJ-MOSSiC-DiodeIGBT工業變頻第三代半導體36氪
回到頂部
久久精品国产久精国产思思,久久性爱福利视频免费,久久狠狠中文字幕2020,免费在线观看AV
久久久久久久国产AV嫩草 | 欧美一级一区二区三区免费 | 亚洲日韩欧美午夜在线观看 | 中国精品国产yw在线观看 | 精品国产高清一区二区三区 | 亚洲欧美日韩在线综合久 |